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润新微电子(大连)有限公司从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及功率器件的研发、设计、生产和销售，已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片和各种规格功率器件的量产，功率器件电源功率的应用范围范围低至30W，高至6KW。

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氮化镓 (GaN) 外延片

■ 控制生长条件实现优异的二维电子气
■ 利用特有的缓冲层生长技术实现高击穿电压和极低漏电流
■ 原位氮化硅沉积提供了优良的动态性能，提高器件可靠性
■ 控制生长条件实现的高均匀性和重复性
氮化镓 (GaN) 功率器件

技术成熟度高 ■
栅压安全区间大 ■
类MOS，应用简单 ■
易实现市场化 ■
氮化镓 (GaN) 电源设计

■ 与硅驱动方案兼容

■ 更高的电压，更好的导电能力

■ 更小的体积，更好的温度控制

■ 更高的效率，更低的能耗
■ 抗辐照等特殊应用

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